黨的十九屆五中全會提出：“要堅持創(chuàng)新在我國現(xiàn)代化建設(shè)全局中的核心地位，把科技自立自強(qiáng)作為國家發(fā)展的戰(zhàn)略支撐。”

　　Ø國家發(fā)改委在《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導(dǎo)意見》中明確提出“要加快IGBT等核心技術(shù)部件研發(fā)”。

　　Ø國家電網(wǎng)公司在2020年科技創(chuàng)新大會上提出“要著力增強(qiáng)原始創(chuàng)新能力，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控”，并在其發(fā)布的《新興產(chǎn)業(yè)集群培育的指導(dǎo)意見》中進(jìn)一步明確重點拓展IGBT等新興業(yè)務(wù)。

　　由此可見：無論是國家層面、還是行業(yè)層面，都將IGBT領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新放在了發(fā)展的核心地位。

　　一、什么是IGBT

　　絕緣柵雙極型晶體管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT) 是為解決金屬—氧化物半 導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管在高壓應(yīng)用時的導(dǎo)通損耗與耐壓水平之間的矛盾，由通用電氣公司和美國無線電公司在1982年提出的一種新型結(jié)構(gòu)器件。經(jīng)過30 多年的發(fā)展，IGBT技術(shù)持續(xù)改進(jìn)，實現(xiàn)了在功率變換領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

　　作為智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域的技術(shù)熱點，在較長一段時間內(nèi)，IGBT核心技術(shù)都由國外相關(guān)機(jī)構(gòu)和企業(yè)把持。近些年，中國在此領(lǐng)域雖取得了長足的進(jìn)步，但也存在一些“卡脖子”技術(shù)和研究空白，需要重點開展科研攻關(guān)。

　　經(jīng)過多年的發(fā)展，IGBT器件領(lǐng)域已經(jīng)積累了大量的專利，專利信息是一種高度標(biāo)準(zhǔn)化的技術(shù)法律信息，無論是專利類別劃分，還是文體結(jié)構(gòu)及句法結(jié)構(gòu)，都有相對可循的規(guī)律。對IGBT專利的全景分析既可以了解目前國內(nèi)外對此領(lǐng)域的專利研究現(xiàn)狀，也可以提升IGBT專利質(zhì)量，激發(fā)創(chuàng)新能力，探究未來發(fā)展趨勢，有利于企業(yè)制定發(fā)展策略。

　　二、《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報告》

　　由英大傳媒集團(tuán)中國電力百科網(wǎng)運營團(tuán)隊策劃并牽頭編制的第一款技術(shù)咨詢研究報告——《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報告》，即將于2021年3月正式發(fā)布!報告由國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院等權(quán)威研究機(jī)構(gòu)提供專家指導(dǎo)、中國電力百科網(wǎng)(www.ceppedu.com)、德溫特創(chuàng)新平臺(www.derwentinnovation.com)提供數(shù)據(jù)和工具支持。

　　Ø IGBT技術(shù)領(lǐng)域最新、最全專利分析報告

　　Ø 內(nèi)容豐富、數(shù)據(jù)詳實、分析全面、方法新穎

　　Ø 形成了全方位、多角度、專業(yè)化的研究結(jié)論

　　Ø 可為國內(nèi)外相關(guān)政府部門、科研院所、企業(yè)、高校等提供有益參考

　　本報告通過制定IGBT 整體檢索和分析方案，對IGBT全球范圍內(nèi)的專利信息進(jìn)行深度檢索，從專利授權(quán)活動、實體動態(tài)、技術(shù)分析等角度全面分析、洞察專利授權(quán)的趨勢，并對專利技術(shù)分支進(jìn)行多維度統(tǒng)計分析，形成全方位、多角度、專業(yè)化的研究結(jié)論。

　　三、報告的作用

　　(1)全面了解IGBT 技術(shù)的最新發(fā)展趨勢和技術(shù)布局，分析指導(dǎo)發(fā)展方向，把技術(shù)空白或布局薄弱處作為突破口，為企業(yè)構(gòu)筑核心競爭力。

　　(2)有效規(guī)避相同的發(fā)明點，避免在研發(fā)過程中的各種潛在風(fēng)險，從而優(yōu)化企業(yè)專利布局，更好地保護(hù)自有知識產(chǎn)權(quán)。

　　(3)深入了解IGBT領(lǐng)域的主要競爭對手及其發(fā)展方向，從而制定相應(yīng)策略，出具競爭方案，為企業(yè)自身制定未來的專利和市場對抗戰(zhàn)略提供有利的依據(jù)。

　　四、報告的亮點

　　1.優(yōu)化的檢索策略

　　(1)檢索范圍大：包含在全球范圍內(nèi)公開的，在標(biāo)題、摘要或權(quán)利要求中涉及“絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)以及續(xù)流二極管(FWD)”的近 20 年(從 2000 年 1 月 1 日起首次提交的)專利數(shù)據(jù)，在初步檢索基礎(chǔ)上，進(jìn)行了大范圍去噪，并通過與專家協(xié)商進(jìn)行重查、清理和確認(rèn)，最終得到檢索結(jié)果為10259個專利家族，以此作為IGBT技術(shù)領(lǐng)域研究的專利集合，并通過分析每個專利家族的一篇專利公開代表進(jìn)行全景分析。

　　(2)檢索要素全：使用關(guān)鍵詞及其變體，在德溫特創(chuàng)新平臺(Derwent Innovation)和中國電力百科網(wǎng)中，用其包含的多種分類方式及其組合(包括IPC、CPC和DWPI手工代碼)進(jìn)行綜合檢索。

　　(3)檢索策略新：采用了關(guān)鍵詞與分類號、關(guān)鍵詞與關(guān)鍵詞等相關(guān)策略，最終確定了28個檢索策略，其中主要檢索策略包括：

　　Ø 檢索在標(biāo)題、摘要、權(quán)利要求等重要分類中主要討論IGBT的專利。

　　Ø 檢索幾種不同類型的IGBT(例如 COMFET、MOSIGT、GEMFET)。

　　Ø 檢索主要討論高壓二極管或功率二極管，例如快恢復(fù)二極管、續(xù)流二極管或晶閘管、并且提到了這些器件同時適用于IGBT的專利。

　　Ø 檢索集中于功率半導(dǎo)體器件的專利，其提到了在IGBT 技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。

　　2.完善的分析方法

　　通過技術(shù)關(guān)鍵詞和技術(shù)分類體系對每個子分類進(jìn)行單獨的檢索，將最終的集合細(xì)分到最小分類中，并基于最終分類的專利集合，生成分析框架，在專利授權(quán)趨勢、實體動態(tài)、技術(shù)分析等維度上，以可視化方式突出顯示專利全景分析的重要結(jié)論。

　　3.采用“發(fā)明”這一概念進(jìn)行專利分析

　　Ø 報告采用“發(fā)明”作為每個專利記錄的定義。

　　Ø “發(fā)明”不是單獨的專利公開文獻(xiàn)，而是包括了同一個專利家族的相關(guān)專利申請和授權(quán)專利。

　　Ø 采用“發(fā)明”這一概念進(jìn)行專利分析，為 IGBT 技術(shù)領(lǐng)域?qū)嶓w的發(fā)明活躍度等指標(biāo)提供了更準(zhǔn)確的測定，并能夠?qū)Ρ榧霸擃I(lǐng)域的總體創(chuàng)新水平提供更真實的描述。

　　Ø 為了進(jìn)行統(tǒng)一的分析，專利全景分析中使用每個專利家族第一次提出專利申請的日期作為分析的基礎(chǔ)。

　　五、報告內(nèi)容概覽

　　1.報告給出了IGBT專利集合的專利地圖，如下：

　　IGBT專利集合的專利地圖

　　2.報告給出了IGBT的技術(shù)分類表，如下(部分)：

　　IGBT的技術(shù)分類表(部分)

　　3.報告分析了IGBT專利創(chuàng)新趨勢、創(chuàng)新增長率、創(chuàng)新來源、保護(hù)和申請策略、平均專利審查周期及授權(quán)率等專利授權(quán)活動內(nèi)容。

　　創(chuàng)新增長率

　　4.報告分析了專利所有權(quán)動態(tài)、第一梯級專利組合及創(chuàng)新增長率、專利強(qiáng)度分布、專利實體保護(hù)策略、頂級學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、新興實體等內(nèi)容，還對國家電網(wǎng)公司在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的專利引用和被引用的關(guān)系進(jìn)行了重點闡述。

　　頂級學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)

　　5.報告對各技術(shù)分類的專利分布、技術(shù)創(chuàng)新增長趨勢、新興技術(shù)、主要參與者的技術(shù)重點、技術(shù)交叉與空白進(jìn)行了詳細(xì)的分析。

　　IGBT分類的增長趨勢

　　六、報告主要結(jié)論

　　報告形成的部分結(jié)論如下：

　　(1)總體情況

　　Ø 在2009年至2013年觀察到了發(fā)明活躍性的高增長。自2013年后，本領(lǐng)域的申請數(shù)量趨于穩(wěn)定。

　　Ø 企業(yè)在該領(lǐng)域中貢獻(xiàn)大多數(shù)發(fā)明，而14%的發(fā)明由學(xué)術(shù)和政府研究機(jī)構(gòu)提交。

　　Ø ……

　　(2)創(chuàng)新來源情況

　　Ø 中國在IGBT技術(shù)領(lǐng)域取得了長足的發(fā)展，其中自2014年以來，65%的發(fā)明方案在中國得到了保護(hù)，這表明中國實體近年對這一領(lǐng)域的強(qiáng)烈關(guān)注。

　　Ø 近年來，來自日本的發(fā)明專利數(shù)量有所減少。

　　Ø 在美國提交的專利獲得授權(quán)的時間最快，并且在美國提交的專利中幾乎87%已經(jīng)被授權(quán)。

　　Ø ……

　　(3)專利實體情況

　　Ø 前3位發(fā)明數(shù)量最高的實體是富士電機(jī)(665項)，英飛凌(624項)和三菱電機(jī)(363項)。

　　Ø 劍橋半導(dǎo)體公司、安森美半導(dǎo)體和古河電氣工業(yè)具有高引用數(shù)量的舊有專利，是影響深遠(yuǎn)的早期創(chuàng)新者。

　　Ø ABB、羅姆半導(dǎo)體、三星電機(jī)、電子科技大學(xué)、東南大學(xué)是該領(lǐng)域的新興實體，擁有強(qiáng)大的年輕專利組合。

　　Ø ……

　　(4)國家電網(wǎng)公司情況

　　Ø 在電力電子、半導(dǎo)體以及計算和控制領(lǐng)域，國家電網(wǎng)公司在中國的專利被其他專利引用。

　　Ø ……

　　(5)技術(shù)趨勢

　　Ø 溝槽、硅基 IGBT 和減薄是在 IGBT 分類中發(fā)明數(shù)量最高的主要類別。

　　Ø 溝槽、碳化硅基 IGBT 和載流子存儲層子類在 IGBT 分類內(nèi)顯示出最高的增長。

　　Ø ……

　　(完整結(jié)論請參見報告全文)

　　七、報告的獲取方式

　　報告全文將以紙質(zhì)版和電子版兩種方式發(fā)布，單本定價150元，發(fā)布時間初步定于2021年3月?，F(xiàn)在正式開始接受預(yù)定。其中：

　　紙質(zhì)版可聯(lián)系英大傳媒集團(tuán)數(shù)字出版中心購買，可接受個人和團(tuán)體訂購，個人提前訂購享受優(yōu)惠價，團(tuán)體訂購享受階梯優(yōu)惠。

　　電子版可通過中國電力百科網(wǎng)PC端(www.ceppedu.com)、移動端(電網(wǎng)頭條APP知識頻道)來購買閱讀。中國電力百科網(wǎng)會員單位可享受免費在線閱讀。

　　報告檢索到的近20年的IGBT專利全文(共計10259篇)已全部錄入到中國電力百科網(wǎng)專利庫中，后期對電百網(wǎng)會員單位開放閱讀和下載。

　　如對報告的內(nèi)容、獲取方式以及會員單位的開通等問題有疑問，可聯(lián)系我們。

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